luxury watches: 联发科技ISSCC论文入选再创新高董事长蔡明介将发表专题演讲

2013-11-14

联发科技ISSCC论文入选再创新高董事长蔡明介将发表专题演讲

21ic讯联发科技股份有限公司今天宣布, 今年共有八篇论文获「IEEE国际固态电路研讨会」 (IEEE International Solid-State Circuit Conference，简称ISSCC) 入选殊荣，此纪录不仅为台湾第一，更创半导体产业新高，再次证明联发科技在前瞻技术研发方面的领先地位。为此，董事长蔡明介先生将受邀于2014年ISSCC年度论坛发表专题演讲。

联发科技董事长蔡明介将于ISSCC论坛上就「云端 2.0：移动终端和通信之趋势与挑战」专题展开演讲，内容将专注于未来云端2.0时代半导体及物联网技术的发展。蔡明介先生表示：「IEEE国际固态电路研讨会是全球IC设计领域论文发表的最高指标，很荣幸能受邀发表专题演说。联发科技积极投入创新技术研发，并持续将台湾的研发成果推上世界技术顶尖殿堂，此次多篇论文获选，表示联发科技推动半导体技术突破获得肯定。」

联发科技过去十年来已超过30余篇论文获ISSCC入选，显示联发科技对于ISSCC和半导体产业的贡献。而ISSCC委员会在过去一年中已接受八篇联发科技发表的学术论文，其中一篇入选论文名为「28纳米最佳低功耗高性能之异构四核心CPU、双核心GPU之应用」，显示联发科技在异构多任务处理(Heterogeneous Multi-Processing，简称HMP)，中央处理器 (CPU) 以及低热能与低功耗技术获得肯定。

联发科技另外六篇获得ISSCC入选发表的论文，分别名为「具数字稳压及自我温度补偿数字控制振荡器之全数字锁相回路」、「应用于产生实时频率的 1.89奈瓦/0.15伏自充电石英振荡器」、「采用40纳米CMOS技术并应用于2G/3G分时多任务CDMA多频段,无电感,无表面声波滤波器的接收机」、「26.6 支持非对称负载且适用于金线封装与单面置键的2.667Gbps DDR3内存界面」、「具有0.29mm2面积0.19psrms频率噪声和<-100dBc参考突波适用于802.11ac之40nm CMOS频率合成器」、「基于110纳米制程的包含一个三模可重构锁相回路和一个单通道PICC-PCD接收机的自校准NFC系统单芯片」。

2014年ISSCC将于2月9日至2月13日在美国加州旧金山举行。 2014年会议的主题是Silicon Systems Bridging the Cloud。

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